iPhone X được trang bị RAM 3GB, pin 2.716 mAh cao hơn iPhone 8 Plus

Hồ sơ được nộp cho Trung tâm Chứng nhận Thiết bị viễn thông và Công nghệ thông tin Trung Quốc (TENAA) đã tiết lộ một số thông số kỹ thuật của iPhone X, mà Apple chưa từng công bố. Trong đó, iPhone X được trang bị một viên pin lớn hơn cả iPhone 8 Plus.

Cụ thể theo hồ sơ TENAA, iPhone X được trang bị viên pin 2.716 mAh. Trong khi iPhone 8 Plus và iPhone 8 được trang bị pin tương ứng là 2.675 mAh và 1.821 mAh. Tuy nhiên dung lượng pin của iPhone X vẫn thấp hơn iPhone 7 Plus, là 2.900 mAh.

Việc bổ sung thêm dung lượng pin cho iPhone X, có thể là để cung cấp cho bộ cảm biến và nhận diện khuôn mặt Face ID. iPhone X cũng được trang bị cụm camera kép với cơ chế chống rung quang học trên cả hai ống kính, vì vậy sẽ cần một viên pin lớn hơn iPhone 8 Plus.

iPhone X còn được trang bị tấm nền màn hình OLED, với ưu điểm là tiết kiệm pin hơn so với màn hình LCD truyền thống trên iPhone 8 và 8 Plus. Đặc điểm của màn hình OLED là các điểm ảnh màu đen sẽ được tắt hoàn toàn, tạo độ sâu và tiết kiệm điện năng hơn.

Hồ sơ TENAA cũng cho biết con chip A11 Bionic được trang bị trong iPhone X có tốc độ xung nhịp 2.4GHz, tương đương với iPhone 8 và 8 Plus. iPhone X cũng chỉ được trang bị bộ nhớ RAM 3GB giống iPhone 8 Plus.

iPhone X sẽ chính thức được lên kệ vào ngày 3 tháng 11 tới.

Tham khảo: appleinsider