Sẽ có chip di động tốc độ kỷ lục 3 Ghz vào năm sau

Theo kế hoạch, TSMC và GlobalFoundries hai hãng chuyên về sản xuất vi xử lý sẽ nâng cấp dây chuyền sản xuất chip di động lên quy trình công nghệ 20 nm có thể nâng xung nhịp của chip di động lên mức cao hơn đồng thời giảm điện năng tiêu thụ.

Hiện tại, xung nhịp cao nhất cho chip di động đạt 2,3 Ghz trên Snapdragon 800 và Tegra 4i được sản xuất trên công nghệ 28 nm. Tuy nhiên, thế hệ chip di động ARM của TSMC dựa trên dây chuyền 20 nm này lại có thể tăng mật độ các bóng bán dẫn trên con chip lên 1,9 lần qua đó giúp xung nhịp được nâng cao đạt tới 3 Ghz. Ngoài ra, khả năng tiêu thụ năng lượng trên thế hệ chip mới cũng được tối ưu hóa giảm 25% lượng điện năng so với công nghệ 28 nm. Đồng nghĩa rằng người dùng sẽ có thể sử dụng những vi xử lý có hiệu năng cao nhưng lại ít tốn pin.

Dự kiến, thế hệ chip di động mới này sẽ được ứng dụng trên các thiết bị như smartphone hay tablet vào năm 2014.